Open Library - открытая библиотека учебной информации

Категории

1. Схема с общим эммитером. Упрощённая схема. Протекание токов. Основные параметры.

2. Реальные цепи ОС и их влияние на АЧХ

1 вопрос:

Так как эмиттер является общим, то такое включение транзистора получило название схемы включения с общим эмиттером (ОЭ). Это основная схема включения биполярных транзисторов, так как в ней наилучшим образом используются усилительные свойства транзистора. Существуют также схемы включения с общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК), которые используются реже.

Цепь "коллектор-эмиттер" транзистора является силовой цепью, в которую включается резистор коллекторной нагрузки Р, а цепь "база-эмиттер" называют управляющей цепью, к которой подводится усиливаемый электрический сигнал.

По 2-му закону Кирхгофа для транзистора (см. рис. 16) можно записать

ᴛ.ᴇ. ток коллектора Iк меньше тока эмиттера IЭ на величину тока базы IБ. Токи коллектора и эмиттера связаны между собой коэффициентом передачи тока

Величина всœегда меньше единицы, однако, близка к ней. Важно заметить, что для современных транзисторов = 0,900...0,999.

В схеме включения транзистора с ОЭ входной величиной явяется ток базы, а выходной - ток коллектора. Испоьзуя соотношения (1) и (2), получаем

.

Коэффициент называют статическим коэффициентом усиления тока в схеме с ОЭ и значение его составляет приблизительно 10..1000 для различных типов транзисторов

Рис. 2 Рис. 3

сновными статическими вольтамперными характеристиками (BАХ) транзис- тора в схеме с ОЭ являются:

а) входные характеристики (рис. 2)

при

б) выходные или коллекторные характеристики (рис. 3)

при

Входные характеристики при UKЭ>0 постепенно сгущаются, практически перестают зависеть от этой величины, в связи с этим в справочниках приводятся две кривые - для UKЭ = 0 В и UКЭ=3 В, либо UKЭ = 5 В.

Выходные характеристики приблизительно равноудалены друг от друга при одинаковых приращениях тока базы, начиная с IБ=0. При этом в дальнейшем они начинают сгущаться по мере приближения к току базы насыщения IБнас. При Iв= IБнас транзистор насыщается, ᴛ.ᴇ. полностью открывается, и он перестает быть управляемым током базы, ᴛ.ᴇ. переходит в ключевой режим работы.

Рабочей областью выходных характеристик в режиме усиления является область, ограниченная предельно допустимыми значениями и областями насыще-ния и отсечки (см. линии со штриховкой на рис.3).В этой области характеристики можно считать практически линœейными, а транзистор - линœейным элементом.

На входные и выходные характеристики транзистора (см. рис.2 и 3) сущест- венно влияет температура нагрева транзистора. С ростом температуры они эквива-лентно поднимаются вверх (см. рис.3).

В справочниках [I] приводятся электрические параметры (оптимальные или номинальные для каждого типа транзистора), а также предельные эксплуатационные данные. К первым, в качестве базовых относятся: статический коэффициент передачи тока (или ) в схеме с ОЭ; граничное напряжение UKЭ; обратный ток коллектора IК0; граничная частота fгр коэффициента , ᴛ.ᴇ. та частота усиливаемого сигнала, при которой коэффициент (или ) уменьшается в раза и др.

Достоинства:

Большой коэффициент усиления по току

Большой коэффициент усиления по напряжению

Наибольшее усиление мощности

Можно обойтись одним источником питания

Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки:

Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой

Читайте также